AI算力浪潮驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)量?jī)r(jià)齊升

    本報(bào)記者 殷高峰

    在AI浪潮的驅(qū)動(dòng)下，2026年伊始，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲。

    1月8日，《證券日?qǐng)?bào)》記者在京東等平臺(tái)看到，256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)突破5萬(wàn)元，有些甚至逼近6萬(wàn)元。

    “存儲(chǔ)產(chǎn)品本輪價(jià)格上漲，主要是AI算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需失衡。”上海濟(jì)懋資產(chǎn)管理有限公司合伙人丁炳中在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示，單臺(tái)AI服務(wù)器內(nèi)存需求為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍到10倍。隨著AI算力的大爆發(fā)，國(guó)際頭部存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)向HBM（高帶寬內(nèi)存）等高端產(chǎn)能傾斜，疊加過去兩年深度去庫(kù)存等因素共同驅(qū)動(dòng)，造成結(jié)構(gòu)性短缺，目前來(lái)看，供需緊張局面預(yù)計(jì)將持續(xù)至2028年。

    需求有望進(jìn)一步增長(zhǎng)

    根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢的報(bào)告，自2025年9月初以來(lái)，DDR5內(nèi)存顆粒的現(xiàn)貨價(jià)格已上漲超過300%，DDR4內(nèi)存顆粒的漲幅也達(dá)到158%。

    光大證券研報(bào)顯示，2025年以來(lái)，存儲(chǔ)芯片迎來(lái)漲價(jià)潮，特別是HBM芯片已經(jīng)成為人工智能發(fā)展浪潮中的“緊俏”產(chǎn)品。

    “AI算力的快速爆發(fā)使內(nèi)存需求量在短期內(nèi)激增，同時(shí)帶動(dòng)價(jià)格暴漲，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)量?jī)r(jià)齊升。”萬(wàn)聯(lián)證券投資顧問屈放在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示，從目前AI數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)張速度看，存儲(chǔ)芯片的需求量有望進(jìn)一步激增，其價(jià)格在2026年可能繼續(xù)上漲。

    國(guó)金證券研報(bào)顯示，Google、Meta、微軟及亞馬遜AWS等北美四大云廠（CSP）持續(xù)擴(kuò)大AI基礎(chǔ)建設(shè)投資，2026年總投資金額有望達(dá)到6000億美元的歷史新高規(guī)模。

    在這一背景下，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的國(guó)際大廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程產(chǎn)能至服務(wù)器與HBM應(yīng)用，以滿足AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，導(dǎo)致消費(fèi)電子、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的通用型DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）供給嚴(yán)重緊縮。

    展望后市，國(guó)金證券研報(bào)認(rèn)為，2026年全球存儲(chǔ)芯片仍將供不應(yīng)求，有望持續(xù)漲價(jià)，預(yù)計(jì)2026年DRAM的位元供應(yīng)量增幅約為15%至20%，而需求增速預(yù)計(jì)將達(dá)到20%至25%左右。

    產(chǎn)業(yè)鏈迎歷史性機(jī)遇

    在業(yè)內(nèi)看來(lái)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈正迎來(lái)歷史性機(jī)遇。

    丁炳中分析稱，一方面，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入“兌現(xiàn)期”，另一方面，產(chǎn)業(yè)鏈上的設(shè)計(jì)、封測(cè)與模組等環(huán)節(jié)也將受益。

    相關(guān)企業(yè)正加速布局。成立于2016年的長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)鑫科技”）是中國(guó)領(lǐng)先的DRAM存儲(chǔ)芯片研發(fā)制造企業(yè)‌，2025年12月份公司科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理，擬募資295億元投向技改與研發(fā)，計(jì)劃2027年底前完成大部分設(shè)備導(dǎo)入。‌‌目前，長(zhǎng)鑫科技已在合肥、北京兩地?fù)碛?座12英寸DRAM晶圓廠，且已形成DDR系列、LPDDR系列等產(chǎn)品布局。

    西安奕斯偉材料科技股份有限公司在1月5日披露的投資者活動(dòng)記錄表中稱，公司自設(shè)立之初就制定了15年的遠(yuǎn)期戰(zhàn)略規(guī)劃，計(jì)劃通過2個(gè)到3個(gè)基地投資建設(shè)若干座現(xiàn)代化12英寸硅片工廠，最終成為12英寸硅片領(lǐng)域頭部企業(yè)。

    寧波江豐電子材料股份有限公司不久前在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司的超高純金屬濺射靶材是制造存儲(chǔ)芯片不可或缺的關(guān)鍵材料，已廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體芯片制造環(huán)節(jié)。公司目前正在韓國(guó)建設(shè)靶材生產(chǎn)基地，以滿足全球市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體材料不斷增長(zhǎng)的需求，加速全球化發(fā)展戰(zhàn)略。

    “受AI大模型、數(shù)據(jù)中心、智能終端等方面需求強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)2026年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模接近5000億元。”屈放表示，AI技術(shù)的發(fā)展不僅推動(dòng)了HBM等高端產(chǎn)品需求，AI推理等新場(chǎng)景也帶動(dòng)了大容量、定制化存儲(chǔ)的需求，這為國(guó)產(chǎn)廠商開辟了新賽道。